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BSS138-7-F中文资料

BSS138-7-F图片

BSS138-7-F外观图

  • 大小：485.66KB
  • 厂家：DIODES [Diodes Incorporated]
  • 描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.5 欧姆 @ 220mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 10V
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSS138-FDITR

BSS138-7-F供应商

更新时间:2023-01-15 07:30:19
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